токораспределение в лампе и переход к режиму возврата (пологой части характеристик) сместится в область более высоких La-

При подаче на защитную сетку небольшого (5-10 В) положительного потенциала потенциальный барьер f/б между экранирующей и защитной сетками уменьшится (см. рис. 14.4, е), возрастет крутизна начальной области характеристик (рис. 14.5, е), поэтому переход к их пологой части может быть достигнут при меньшем напряжении на аноде Ua<Ua". Такой режим работы иногда применяют для увеличения полезной мощности в нагрузке.

Параметры пентодов. Статические параметры пентода опреде ляют аналогично триоду с добавлением условия - постоянства напряжений на экранирующей и защитной сетках.

Крутизна характеристики при постоянных Ua, Uc2, Uc3,

S = dIjdUa.

(14.6)

Учитывая, что в рабочем режиме перехвата анодный ток пентода связан с током катода соотношением /а=1йт/(1+т)]/к, крутизна

(14.7)

где Sk - крутизна характеристики по катодному току; Лт = /а с2 - коэффициент токораспределения.

Крутизна характеристики пентода зависит от коэффициента токораспределения Ат. В рабочей области характеристик пентода крутизна мало зависит от анодного напряжения (рис. 14.6, а). В области малых анодных напряжений крутизна снижается за счет уменьшения коэффициента токораспределения. Если повысить потенциал на управляющей сетке, возрастут анодный ток и крутизна характеристики.

С увеличением напряжения на экранирующей сетке крутизна возрастает (рис. 14.6,6). При Uc2>Ua лампа переходит в режим возврата электронов, уменьшается коэффициент токораспределения, вследствие чего рост крутизны сначала замедляется, а затем совсем прекращается.

Внутреннее сопротивление при постоянных Uci, Uc2, Ucs.

Ri = dUJdI. (14.8)

Рис. 14.6. Зависимость параметров пентода от напряжений анода и сетки

в рабочем режиме пентода ток 1а мало зависит от напряжения и а, изменение коэффициента токораспределения кт невелико, поэтому внутреннее сопротивление с увеличением напряжения Ua линейно нарастает (см. рис. 14.6, а). Увеличение напряжения Uc2 (в пределах рабочей области) вызывает рост анодного тока и снижение внутреннего сопротивления (см. рис. 14.6, б). Аналогичный характер имеет изменение внутреннего сопротивления с повышением потенциала на управляющей сетке при постоянных напряжениях Uc2 и Ua.

Коэффициент усиления при постоянных /а, Uc2 и Ucs.

Рис. 14.7. к определению параметров экранированной лампы

илн dUJdUci.

(14.9)

Следует иметь в виду, что коэффициент усиления р в пентоде не является величиной, обратной проницаемости D. Объясняется это тем, что коэффициент проницаемости D учитывает влияние Ua на Ja через изменение действующего напряжения и не учитывает влияние Ua на 1а через токораспределение, которое также будет изменяться с изменением Ua.

Определение статических параметров экранированных ламп по семейству анодных характеристик в заданной точке А показано на рис. 14.7. Для большей точности определения крутизны достаточно взять приращения 2А/а и 2A/ci между точками С и В, лежащими на характеристиках, смежных с характеристикой, на которой лежит заданная точка А. При этом

2дс/,

при и = const.

Для определения внутреннего сопротивления достаточно взять соответствующие изменения напряжения Af/a и тока А/а из треугольника MNF:

iaN-r

при - const.

Коэффициент усиления лампы определить по значениям S и Ri, взяв их произведение n=SRi.

Кроме рассмотренных, важными параметрами пентода являются междуэлектродные емкости (рис. 14.8,с). Из эквивалентной схемы усилительного каскада на пентоде (рис. 14.8, б) исключены емкости С с2-к, Ссз-к, Ссй-сз , так как экранирующая и защитная сетки обычно соединяются с катодом.

) г-----Т-ГГ-

Рсг-сз

Ca-cnki-cii,

си. л

а-сг

-а-:

Гсг-л------

v-.t i

i. 0 Ф i: i- Q

Рис. 14.8. Междуэлектродные емкости в пентоде

Входная емкость в статическом режиме пентода

Свх = + С,1.,2 + С,1.,з + (14.10)

Проходная емкость Са-лв рабочем режиме возрастает в (1 + я) раз, поэтому

Cex.pC,i. + C,i.,2 + C,i.,3 + C3.,i(l+fx). • (14.11)

Проходная емкость в пентодах Ca-ci мала, поэтому увеличение входной рабочей емкости Свх.р несущественно. Выходная емкость пентода

СвыХ - С. „ + С. 3 + С

а-с2-

(14.12)

Рабочие параметры экранированных ламп (тетродов и пентодов) определяют аналогично тому, как это делалось для триодов (см. § 13.4):

Sp = SRiliR + Ri); /Со = fp = SpRa

или p = iRaKRa+Ri) (14.13)

Отсюда следует, что коэффициент усиления по напряжению каскада Ко на пентоде пропорционален крутизне характеристики и значению его анодной нагрузки.

§ 14.3. Высокочастотные пентоды

В усилителях высокой частоты в качестве нагрузки применяют параллельные колебательные контуры, эквивалентное сопротивление которых на резонансной частоте является чисто активным. Для получения удовлетворительного усиления в диапазоне БЧ требуется, чтобы Ri:$>Roe. В этом случае коэффициент усиления (по напряжению) усилителя на резонансной частоте

Ко - SpRoe - "5

Ri + Ro

Rce = S-

l+Roe/Ri

•[(14.14)

Практически Ri лампы в диапазоне ВЧ должно составлять примерно 1 МОм. Максимальное устойчивое усиление ограничивается